1、硅晶圆 

生长方式:直拉(CZ)、MCZ等;

尺寸:1"，2”，3"，4”，5”，6”，8"，12”和特殊非标直径及异形硅片;

表面:单抛、双抛、研磨等

晶向:<100>、<111>、<110>晶向及偏角度和特殊晶向;

厚度:超薄25um、50um、100um、200um等,常用厚度:280um-1mm;超厚:>1mm;

导电类型:N型、P型、本征半绝缘;

电阻率:重掺杂<0.00150.cm，轻掺杂1~1002.cm，非掺>1000~>200002.cm;用途:各种指标，满足各种应用。如:PVD/CVD/热氧化/氮化等镀膜用衬底;磁控溅射生长样品;分子束外延生长的基底;SEM扫描电镜、透射电镜、原子力AFM、拉曼光谱、红外光谱、荧光光谱等分析测试基底;X射线分析;刻蚀、键和、光学透过、透镜、器件等

2、各类石英衬底

尺寸：小片、2寸、3寸、4寸、6寸、8寸、6025、9025等

材料：石英玻璃（JGS1 JGS2）、K9、BF33、BK7、康宁7980等

厚度：0.1mm-10mm

3、热氧化片

4、LNOI片

4、6、8英寸

X切  Z切   Y128等

支持各种厚度的晶圆

5、SNOI片

尺寸:2, 3,4,6英寸;

工艺:LPCVD;LPCVD具有均匀性好，应力低，成膜质量好等优点，成本也较高;

氮化厚度:50nm、80nm、100nm、120nm、200nm、300nm、500nm、800nm、1um;表面:单面抛光双面氮化、单面抛光单面氮化、双面抛光双面氮化;

硅片厚度:200um，500um等多种厚度;

应用:钝化膜、绝缘层、扩散掩膜。硅中的氮能提高硅单晶的强度，防止硅片翘曲，并能抑制微缺陷形成。用于半导体光刻、纳米压印、PVD/CVD镀膜、MEMS、半导体器件等领域;供货能力:大量现货、参数齐全;当天出库;

订制能力:各种参数均可订制。

6、SOI晶圆、SOS晶圆

品牌soi质量高，品质有保障，能用于各种高要求用途。品牌取得多个证书，如:IsO9001，NASI，IATF 16949

SOl wafer尺寸:4",5",6", 8";

底层厚度:>200um;顶层厚度:>2um;

导电类型:N-Type、P-Type、非掺高阻;

为满足更多客户要求，我们也提供超薄顶层和超薄绝缘层;

顶层厚度:70nm、145nm、220nm、340nm等;

绝缘层厚度:145nm、500nm等;

7、磷化铟、砷化镓衬底

1、InP单晶衬底：可以按照客户需求定制特殊方向和尺寸的衬底，常见的尺寸有Φ2″×0.35mm、Φ3″×0.35mm等。

表面粗糙度（Ra）可以控制在≤5A，提供原子力显微镜（AFM）检测报告。

2、砷化镓衬底：尺寸：2英寸直径50.8mm厚度0.35mm  |  4英寸直径100mm厚度0.35mm  |  6英寸直径150mm厚度0.675mm

晶向：<0001>±1.0°

电阻率： >1 E7 ohm.cm